Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 50 Ptot 1 W 1) Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Tj - 50...+150 Storage temperature - Lagerungstemperatur TS - 50...+175 Thermal resistance junction to ambient airWärmewiderstand Sperrschich...
Z1SMA1: Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 50 Ptot 1 W 1) Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Tj - 50...+150 Storage temperature - Lagerungstemperat...
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Power dissipation Verlustleistung | TA = 50 | Ptot | 1 W 1) |
Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur | Tj | - 50...+150 | |
Storage temperature - Lagerungstemperatur | TS | - 50...+175 | |
Thermal resistance junction to ambient airWärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft | RthA | < 70 K/W 1) | |
Thermal resistance junction to terminalWärmewiderstand Sperrschicht - Anschluß | RthT | < 30 K/W |
1) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses -Gemessen mit Impulsen
3) The Z1SMA 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be "F" instead of "Z".
The cathode, indicated by a white band is to be connected to the negative pole. Die Z1SMA 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index "F" anstatt "Z" zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.