Specifications Power dissipation - Verlustleistung TA = 50 Ptot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 msEinmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms TA = 50 PZSM 40 W Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Tj - 50...+175 Storage temper...
ZPY 1: Specifications Power dissipation - Verlustleistung TA = 50 Ptot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 msEinmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms TA = 50 PZSM ...
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Power dissipation - Verlustleistung | TA = 50 | Ptot | 1.3 W 1) |
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 msEinmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms | TA = 50 | PZSM | 40 W |
Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur | Tj | - 50...+175 | |
Storage temperature - Lagerungstemperatur | TS | - 50...+175 | |
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft | RthA | < 45 K/W 1) | |
Thermal resistance junction to lead Wärmewiderstand Sperrschicht - Anschlußdraht | RthL | < 15 K/W |
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2) Tested with pulses - Gemessen mit Impulsen
3) The ZPY 1 is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die ZPY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.