Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 50 Ptot 0.5 W 1) Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Tj - 50...+175 Storage temperature - Lagerungstemperatur TS - 50...+175 Thermal resistance junction to ambient airWärmewiderstand Sperrsch...
ZPD 75: Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 50 Ptot 0.5 W 1) Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Tj - 50...+175 Storage temperature - Lagerungstempe...
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Power dissipation Verlustleistung | TA = 50 | Ptot | 0.5 W 1) |
Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur | Tj | - 50...+175 | |
Storage temperature - Lagerungstemperatur | TS | - 50...+175 | |
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft |
RthA | < 0.3 K/mW 1) |
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2) Tested with pulses tp = 20 ms - Gemessen mit 20 ms-Impulsen
3) The ZPD 1 is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die ZPD 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.