Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 25 Ptot 1.0 W 1) Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Tj 50...+175 Storage temperature Lagerungstemperatur TS 50...+175 Thermal resistance junction to ambient airWärmewiderstand Sperrschicht ...
ZMY 1 G: Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 25 Ptot 1.0 W 1) Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Tj 50...+175 Storage temperature Lagerungstemperatu...
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Power dissipation Verlustleistung | TA = 25 | Ptot | 1.0 W 1) |
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur | Tj | 50...+175 | |
Storage temperature Lagerungstemperatur | TS | 50...+175 | |
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft |
RthA | < 150 K/W 1) |
1) Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses Gemessen mit Impulsen
3) The ZMY 1 G is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be "F" instead of "Z".
The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.
Die ZMY 1 G ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index "F" anstatt "Z" zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.