Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 50 Ptot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms TA = 50 PZSM 40 W Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Tj 50...+150 Storage...
ZMY200: Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 50 Ptot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms TA = 50 PZSM 40 W Einmalige Impuls-Verlustleistung, t <...
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Power dissipation Verlustleistung | TA = 50 | Ptot | 1.3 W 1) |
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms | TA = 50 | PZSM | 40 W |
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms | |||
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur | Tj | 50...+150 | |
Storage temperature Lagerungstemperatur | TS | 50...+175 | |
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft |
RthA | < 45 K/W 1) | |
Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht Kontaktfläche |
RthT | < 10 K/W |
1) Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses Gemessen mit Impulsen
3) The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be "F" instead of "Z".
The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.
Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index "F" anstatt "Z" zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu erbinden.