Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 25 Ptot 1 W 1) Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Tj 50...+175 Storage temperature Lagerungstemperatur TS 50...+175 Thermal resistance junction to ambient airWärmewiderstand Sperrschicht umg...
ZMD 100: Specifications Power dissipation Verlustleistung TA = 25 Ptot 1 W 1) Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Tj 50...+175 Storage temperature Lagerungstemperatur ...
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Power dissipation Verlustleistung | TA = 25 | Ptot | 1 W 1) |
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur | Tj | 50...+175 | |
Storage temperature Lagerungstemperatur | TS | 50...+175 | |
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft |
RthA | < 150 K/W 1) | |
Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht Kontaktfläche |
RthT | < 60 K/W | |
Zener voltages see table on next page Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite |
1) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses Gemessen mit Impulsen
3) The ZMD 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be F instead of Z.
The cathode, indicated the yellow ring is to be connected to the negative pole.
Die ZMD 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index "F" anstatt Z zu setzten. Die durch den gelben Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.