SpecificationsRepetitive Peak OffSate Voltage (Note 1), VDRM NTE56070 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE56071 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
NTE56070: SpecificationsRepetitive Peak OffSate Voltage (Note 1), VDRM NTE56070 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
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Features: High Collector Breakdown Voltage: V(BR)CEO = 100V Min @ IC = 1mAHigh Power Dissipation: ...
Repetitive Peak OffSate Voltage (Note 1), VDRM
NTE56070 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE56071 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
RMS OnState Current (Full Sine Wave, TMB 91°C), IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
NonRepetitive Peak OnState Current, ITSM
(Full Sine Wave, TJ = +25°C prior to Surge)
t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190A
t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209A
I2 t for Fusing (t = 10ms), I 2 t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180A2sec
Repetitive RateofRise of OnState Current after Triggering, dIT/dt
(ITM = 30A, IG = 0.2A, dIG/dt = 0.2A/s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 100A/s
Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Peak Gate Voltage, VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 5V
Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W
Average Gate Power (Over Any 20ms Period), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 500mW
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40° to +150°C
Thermal Resistance, JunctiontoMounting Base, RthJMB
Full Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 1.0K/W
Half Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..1.4K/W
Typical Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..... 60K/W