NTE56042

Repetitive Peak OffSate Voltage, V_DRM
    NTE56042 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
    NTE56043 (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . 600V
     NTE56044 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
RMS OnState Current (Full Sine Wave, T_HS 38°C), I_T(RMS) . . . . . . . . . . . .. . . . . . . ..16A
NonRepetitive Peak OnState Current, I_TSM
   (Full Sine Wave, T_J = +125°C prior to Surge, with Reapplied VDRMmax)
       t = 20ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 140A
       t = 16.7ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .. 150A

I² t for Fusing (t = 10ms), I² t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... 98A ²sec
Repetitive RateofRise of OnState Current after Triggering, dI_T/dt
   (I_TM = 20A, I_G = 0.2A, dI_G/dt = 0.2A/s)
     MT₂ (+), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..... . . . ...50A/s
     MT₂ (+), G () . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50A/s
     MT₂ (), G () . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A/s
     MT₂ (), G (+) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . 10A/s
Peak Gate Current, I_GM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..... . . . . . . . . . . . 2A
Peak Gate Voltage, V_GM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... . . . . . . 5V
Peak Gate Power, P_GM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . 5W
Average Gate Power (Over Any 20ms Period), P_G(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 500mW
Operating Junction Temperature, T_J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature Range, T_stg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40° to +150°C
Thermal Resistance, JunctiontoHeatsink (Full or Half Cycle), R_thJHS
    With Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0K/W
    Without Heatsink Compound . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 5.5K/W
Typical Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, R_thJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55K/W

The NTE56042 through NTE56044 are glass passivated, sensitive gate TRIACs in an isolated full pack type package designed for use in general purpose bidirectional switching and phase control applications, where high sensitivity is required in all four quadrants.