Features: Silicon Gate for Fast Switching SpeedsRugged SOA is Power Dissipation LimitedSourcetoDrain Diode Characterized for Use With Inductive LoadsSpecificationsDrainSource Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
NTE2380 (NCh): Features: Silicon Gate for Fast Switching SpeedsRugged SOA is Power Dissipation LimitedSourcetoDrain Diode Characterized for Use With Inductive LoadsSpecificationsDrainSource Voltage, VDSS . . . . ...
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SpecificationsCollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10...
SpecificationsCollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10...
DrainSource Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
DrainGate Voltage (RGS = 1M), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
GateSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Drain Current, ID
Continuous
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0A
Pulsed
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.32W/°C
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . .. . . . . . . .. . . . . . . .. . . . . .. . 75W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6W/°C
Operating Temperature Range, Topr
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65° to +150°C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, RthJA . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W
Thermal Resistance, JunctiontoCase, RthJC
NTE2380 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.12°C/W
NTE2381 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67°C/W
The NTE2380 (NCh) and NTE2381 (PCh) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.