Position: Home  > All Categories> Integrated Circuits (ICs) > HGTP10N50E1

HGTP10N50E1

Features: • 10A and 12A, 400V and 500V• VCE(ON): 2.5V Max.• TFI: 1s, 0.5ms• Low On-State Voltage• Fast Switching Speeds• High Input Impedance• No Anti-Parallel DiodePinoutSpecificationsCollector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...

product image

HGTP10N50E1 Picture
See larger image
SeekIC No. : 004362186 Detail

HGTP10N50E1: Features: • 10A and 12A, 400V and 500V• VCE(ON): 2.5V Max.• TFI: 1s, 0.5ms• Low On-State Voltage• Fast Switching Speeds• High Input Impedance• No Anti-Paral...

HGTP10N50E1 Data Sheet

floor Price/Ceiling Price

Get Latest Price
Part Number:
HGTP10N50E1
Supply Ability:
5000

Price Break

  • Qty
  • 1~5000
  • Unit Price
  • Negotiable
  • Processing time
  • 15 Days
Total Cost: $ 0.00

SeekIC Buyer Protection PLUS - newly updated for 2013!

  • Escrow Protection.
  • Guaranteed refunds.
  • Secure payments.
  • Learn more >>

Month Sales

268 Transactions

Rating

evaluate  (4.8 stars)

Upload time: 2024/12/30

add to my favourite

Payment Methods

All payment methods are secure and covered by SeekIC Buyer Protection PLUS.

Notice: When you place an order, your payment is made to SeekIC and not to your seller. SeekIC only pays the seller after confirming you have received your order. We will also never share your payment details with your seller.
Product Details

Description



Features:

• 10A and 12A, 400V and 500V
• VCE(ON): 2.5V Max.
• TFI: 1s, 0.5ms
• Low On-State Voltage
• Fast Switching Speeds
• High Input Impedance
• No Anti-Parallel Diode


Pinout

Connection Diagram


Specifications

Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VCES 400 500 400 500 V
Collector-Gate Voltage RGE = 1MW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  VCGR 400 500 400 500 V
Reverse Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VECS(rev.) 15 15 -5 -5 V
Gate-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . .VGE ±20 ±20 ±20 ±20 V
Collector Current Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . IC 12 12 10 10 A
Collector Current Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ICM 17.5 17.5 17.5 17.5 A
Power Dissipation at TC = +25 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . PD 75 75 60 60 W
Power Dissipation Derating Above TC > +25 . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . .0.6 0.6 0.48 0.48 W/
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . .  TJ, TSTG -55 to +150 -55 to +150 -55 to +150 -55 to +150


Description

The HGTH12N40C1, HGTH12N40E1, HGTH12N50C1, HGTH12N50E1, HGTP10N40C1, HGTP10N40E1, HGTP10N50C1 and HGTP10N50E1 are n-channel enhancement-mode insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high-voltage, low on-dissipation applications such switching regulators and motor drivers. These types can be operated directly from low-power integrated circuits.




Customers Who Bought This Item Also Bought

Margin,quality,low-cost products with low minimum orders. Secure your online payments with SeekIC Buyer Protection.
You may also be interested in :
Sensors, Transducers
GP2Y0D340K
PAN3509DH-TXWA
Integrated Circuits (ICs)
TA8435H
1MB12-140
Static Control, ESD, Clean Room Products
DPA5
PA800-A41
Industrial Controls, Meters
SGDM-15ADA
41AA1600E
RF and RFID
X3C26P1-30S
1P620S
Semiconductor Modules
2DI300A-050-03
7MBR25SA-120-50
View more