Position: Home  > All Categories> Integrated Circuits (ICs) > HGTH12N50C1

HGTH12N50C1

Features: • 10A and 12A, 400V and 500V• VCE(ON): 2.5V Max.• TFI: 1s, 0.5ms• Low On-State Voltage• Fast Switching Speeds• High Input Impedance• No Anti-Parallel DiodePinoutSpecificationsCollector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...

product image

HGTH12N50C1 Picture
See larger image
SeekIC No. : 004362169 Detail

HGTH12N50C1: Features: • 10A and 12A, 400V and 500V• VCE(ON): 2.5V Max.• TFI: 1s, 0.5ms• Low On-State Voltage• Fast Switching Speeds• High Input Impedance• No Anti-Paral...

HGTH12N50C1 Data Sheet

floor Price/Ceiling Price

Get Latest Price
Part Number:
HGTH12N50C1
Supply Ability:
5000

Price Break

  • Qty
  • 1~5000
  • Unit Price
  • Negotiable
  • Processing time
  • 15 Days
Total Cost: $ 0.00

SeekIC Buyer Protection PLUS - newly updated for 2013!

  • Escrow Protection.
  • Guaranteed refunds.
  • Secure payments.
  • Learn more >>

Month Sales

268 Transactions

Rating

evaluate  (4.8 stars)

Upload time: 2024/10/31

add to my favourite

Payment Methods

All payment methods are secure and covered by SeekIC Buyer Protection PLUS.

Notice: When you place an order, your payment is made to SeekIC and not to your seller. SeekIC only pays the seller after confirming you have received your order. We will also never share your payment details with your seller.
Product Details

Description



Features:

• 10A and 12A, 400V and 500V
• VCE(ON): 2.5V Max.
• TFI: 1s, 0.5ms
• Low On-State Voltage
• Fast Switching Speeds
• High Input Impedance
• No Anti-Parallel Diode


Pinout

Connection Diagram


Specifications

Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VCES 400 500 400 500 V
Collector-Gate Voltage RGE = 1MW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  VCGR 400 500 400 500 V
Reverse Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VECS(rev.) 15 15 -5 -5 V
Gate-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . .VGE ±20 ±20 ±20 ±20 V
Collector Current Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . IC 12 12 10 10 A
Collector Current Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ICM 17.5 17.5 17.5 17.5 A
Power Dissipation at TC = +25 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . . PD 75 75 60 60 W
Power Dissipation Derating Above TC > +25 . . . . . . . . . . .  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . . . . .0.6 0.6 0.48 0.48 W/
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . .  TJ, TSTG -55 to +150 -55 to +150 -55 to +150 -55 to +150


Description

The HGTH12N40C1, HGTH12N40E1, HGTH12N50C1, HGTH12N50E1, HGTP10N40C1, HGTP10N40E1, HGTP10N50C1 and HGTP10N50E1 are n-channel enhancement-mode insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high-voltage, low on-dissipation applications such switching regulators and motor drivers. These types can be operated directly from low-power integrated circuits.




Customers Who Bought This Item Also Bought

Margin,quality,low-cost products with low minimum orders. Secure your online payments with SeekIC Buyer Protection.
You may also be interested in :
Inductors, Coils, Chokes
DR127-330-R
SD53-100-R
Audio Products
HUC1002
WM-64CT
Memory Cards, Modules
WT32
VTL5C7
Prototyping Products
AVT4168
DE1
Undefined Category
VI-B63-IU
X27 589
Tools
TCP202
G084SN05 V.3
View more